- 6세대 고대역폭메모리 품질검증 완료, AI 반도체 시장 주도권 확보
- 올해 메모리 설비투자 대폭 확대, 파운드리 2나노 수주 130% 증가 전망
- 4분기 사상최대 실적 93.8조원…반도체 부문 영업익 16.4조원 기록
삼성전자가 차세대 인공지능(AI) 메모리 시장을 선도할 6세대 고대역폭메모리(HBM4)를 다음달부터 본격 출하한다.
삼성전자는 2026년 1월 29일 개최한 2025년 4분기 실적발표 기업설명회에서 "HBM4는 주요 고객사들의 요구 성능이 높아졌음에도 재설계 없이 작년에 샘플을 공급한 이후 순조롭게 고객 평가가 진행 중"이라며 "현재 품질검증(퀄) 완료 단계에 진입했다"고 밝혔다.
회사는 "2월부터 최상위 속도 11.7Gbps 제품을 포함한 HBM4 물량 양산 출하가 예정돼 있다"고 설명했다. 7세대 제품인 HBM4E는 올해 중반 표준 제품을 중심으로 고객사에 샘플을 제공할 예정이다. HBM4E 코어 다이 기반의 맞춤형 HBM 제품은 하반기 고객 일정에 맞춰 웨이퍼 초도 투입을 전개해 나갈 계획이다.
차세대 적층 기술로 꼽히는 하이브리드 커퍼 본딩 기술에 대해서는 "작년 4분기 HBM4 기반 샘플을 주요 고객사에 전달하며 기술 협의를 시작했다"며 "HBM4E에서 일부 사업화를 계획하고 있다"고 말했다.
삼성전자는 올해 HBM 전망에 대해 "2026년 당사 HBM 매출은 전년 대비 3배 이상 대폭 개선될 것"이라며 "현재 기준 준비된 생산능력은 고객사들로부터 전량 확보를 완료했다"고 강조했다.
이어 "단기적으로는 HBM3E에 대한 수요 대응력을 높여나가는 한편 HBM4와 HBM4E를 위한 1c 나노 생산능력 확보에 대한 투자를 병행하고 있다"고 말했다.
다만 16단 제품 상용화에 대해서는 신중한 입장을 보였다. 삼성전자는 "HBM3E 또는 HBM4의 16단 스택 제품의 경우 현재 고객 수요가 매우 제한적이고 올해 중 계획하고 있는 동일 용량의 HBM4E 12단 제품 샘플링 일정 고려 시 굳이 양산 사업화는 불필요하다고 판단하고 있다"고 말했다.
이어 "다만 TC-NCF 기반 16단 패키지 또한 양산할 수 있는 수준으로 이미 기술을 확보해 둔 상태로 고객 요구 사항 변화가 있더라도 이에 대한 적기 대응에는 문제가 없을 것으로 판단된다"고 덧붙였다.
올해 메모리 설비투자는 전년 대비 상당 수준 늘어날 전망이다. 삼성전자는 "AI 수요 강세 장기화 가능성에 대비하는 차원에서 신규 팹에 대한 투자를 선행해 클린룸을 확보해 두고 이후 수요 추이를 살피며 증산이 필요한 시점에 설비 투자를 빠르게 실행하는 방식으로 투자를 운영할 예정"이라고 말했다.
이어 "고성능 고용량 제품 확보가 필수인 AI 응용 시장의 기술적 요구를 실현하기 위해 올해 D램은 1c 나노, 낸드는 V9을 중심으로 선단 공정 생산능력 확보를 가속해 나갈 예정"이라고 강조했다.
파운드리사업부는 작년 테슬라 수주 이후 미국 및 중국의 대형 고객사들과 활발한 협력을 논의 중이다. 삼성전자는 "올해는 고성능컴퓨팅(HPC) AI향 응용처 중심으로 2나노 수주 과제는 전년 대비 130% 이상 확보할 것으로 기대한다"고 말했다.
이를 위해 하반기 양산을 목표로 2나노 2세대 공정의 수율 및 성능 목표 달성에 집중하고 있다. 현재 주요 고객사들과 제품 설계를 위한 PPA 평가 및 테스트 칩 협업을 병행하고 있으며 양산 전 단계에서의 기술 검증이 진행되고 있다.
1.4나노 공정은 2029년 양산을 목표로 개발 중이다. 2027년 하반기에는 공정설계키트(PDK) 버전 1.0을 고객사에 배포해 고객 설계 착수 및 조기 생태계 구축을 본격화한다.
한편 삼성전자는 이날 2025년 4분기 연결기준 매출 93조8000억원, 영업이익 20조1000억원을 기록했다고 발표했다. 반도체(DS) 부문은 매출 44조원, 영업이익 16조4000억원을 달성하며 HBM과 고성능 D램 판매 확대가 실적 성장을 이끌었다.
